Transistor MOSFET IRF540N100V - 33ADescripcionMosfet de potencia canal N de International Rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperacion inversa dentro de su estructura. Capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutacion y utilizado en una gran variedad de aplicaciones.Caracteristicas:Voltaje Drain-Source (VDSS): 100 VCorriente de Drain (ID): 33 AEncapsulado: TO-220.Resistencia Drain-Source (RDS on): 44 mohmsBaja resistencia termica.
| Ubicación de la tienda | Argentina |
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