Los transistores IGBT ofrecen tecnología de rendimiento optimo para UPS, soldadores y aplicaciones PFC, donde evitar perdidas de conducción y conmutación son esenciales.ESPECIFICACIONES - Temperatura máxima de Conexiones: TJ = 175oC- Temperaura positivo coeficiente de fácil funcionamiento paralelo- Alta capacidad de corriente- Baja tensión de saturación: VCE (sat) = 1.9 V (Típico) @ IC = 60A- Alta impedancia de entrada- Conmutación rápida- Apretar parámetros de distribución- Compatible con RoHSESPECIFICACIONES TÉCNICAS - Familia: de transistores Igbt-Single- Tipo IGBT: Diafragma de campo- voltaje Colector-Emisor (Máx.): 600 V- Actual-Colector (Ic) (Máx.): 120A- Actual-Colector Pulsada (Icm): 180A- Vce (on) (Máx.) Vge, Ic: 2.5 V @ 15 V, 60A- Energía-Máxima: 600 W- Eonmutación de la Energía: 1.26mJ (a), 450 y micro; J (off)- Tipo de entrada: estándar- Bloquee la Carga: 189nC- Td (on/off) @ 25 ° C: 18ns/104nsLA COMPRA INCLUYE - 1 Transistor FGH60N60SKU: FGH60N60